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          SiGe整流二極管可在高溫下保持效率

          150V和200V的零件正在準(zhǔn)備中。

          熱失控與肖特基二極管進(jìn)行了比較,肖特基二極管的反向漏電流在高溫下會(huì)迅速上升,如果使用不當(dāng),則會(huì)導(dǎo)致熱失控。

          以額定2A的PMEG120G20ELR為例(請(qǐng)參見下表),在25°C(30nAmax)時(shí)120V反向泄漏通常為300pA,在150°C(200μAmax)時(shí)為20μA。

          還要求低正向電壓和反向恢復(fù)電荷。從數(shù)據(jù)表中,我得到:770mV(25°C),860mV(-40°C)或620mV(125°C)的典型數(shù)字,然后是5nC。該公司表示:“這些SiGe整流器的優(yōu)勢(shì)是可將傳導(dǎo)損耗降低10%至20%。”

          它們通過了AEC-Q101認(rèn)證,可用于汽車。

          前四個(gè)正在生產(chǎn)中:

          硅鍺整流器評(píng)分
          PMEG120G10ELR120V 1ACFP3(SOD123W)
          PMEG120G20ELP120V 2ACFP5(SOD128)
          PMEG120G20ELR120V 2ACFP3(SOD123W)
          PMEG120G30ELP120V 3ACFP5(SOD128)

          Nexperia稱,隨后還將出現(xiàn)另外八臺(tái)額定電壓為150或200V的設(shè)備,盡管目前尚無數(shù)據(jù)表,但這些設(shè)備正在采樣。

          CFP3(1.9 x 3.7mm)和CFP5(2.7 x 5mm)封裝具有堅(jiān)固的銅夾,以改善熱傳遞–分別與焊接點(diǎn)的結(jié)溫為18和12K / W。Nexperia表示:“切換到SiGe技術(shù)時(shí),可以簡(jiǎn)單地對(duì)肖特基二極管和快速恢復(fù)二極管進(jìn)行引腳到引腳的替換,”

          預(yù)計(jì)在汽車(發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元或燃油噴射)和LED照明以及通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器中的高溫下將有特殊應(yīng)用。

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