EPFL 的科學家已經(jīng)開發(fā)出超低損耗氮化硅集成電路 (IC)。此類 IC 對于光子器件至關(guān)重要，例如芯片級頻率梳、窄線寬激光器、相干激光雷達和神經(jīng)形態(tài)計算等。這種IC可以將信息編碼成光，通過光纖傳輸，被描述為光通信的核心部件。

EPFL 團隊創(chuàng)建的 IC具有 1 dB/m 的損耗，這是非線性集成光子材料的記錄值。研究人員表示，這種類型的超低損耗對于集成光子學至關(guān)重要，允許使用片上波導合成、處理和檢測光信號。如此低的損耗將減少用于構(gòu)建用于多種應用的芯片級光頻梳的功率預算。

新技術(shù)可以以創(chuàng)紀錄的低光損耗和小尺寸構(gòu)建氮化硅集成光子電路。新技術(shù)用于使用高質(zhì)量因子微諧振器在 5×5 平方毫米芯片上開發(fā)一米長的波導。研究人員還報告說，他們的技術(shù)具有很高的制造產(chǎn)量，據(jù)說對工業(yè)生產(chǎn)至關(guān)重要。

光頻錐用于相干光收發(fā)器、低噪聲微波合成器、激光雷達、神經(jīng)形態(tài)固定計算和光原子鐘等應用。該項目的研究人員表示，他們期待看到他們的芯片設(shè)備用于新興應用，包括相干激光雷達、光子神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和量子計算。這類芯片通常由硅制成，但這種芯片突破是基于氮化硅。目前尚不清楚何時可以將新 IC 集成到商用產(chǎn)品中。