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          hclo3和hclo4氧化性(為什么HCLO的氧化性比HCLO3強(qiáng)結(jié)構(gòu)上的原因是什么)

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          1、HClO和HClO氯原子都是sp,空間電子云分布為四面體。

          2、HClO中氯原子的雜化軌道被填滿,剩下的一個(gè)與sp氧原子的一個(gè)軌道重疊。

          3、電子云的密度更接近氧原子,氯原子更容易得到電子對(duì)被氧化,或者鍵斷裂形成自由基,從而具有強(qiáng)氧化性。

          4、HClO氯原子有一個(gè)充滿電子的雜化軌道來(lái)填充空的氧原子的雜化軌道,氧原子是空的,所以能級(jí)更高,更不穩(wěn)定,因而具有強(qiáng)氧化性。

          5、而與HClO相似的HOCl中氧原子與氯原子之間的鍵受到剩余兩個(gè)氧原子的吸收膜的影響,所以這種鍵的電子云密度更傾向于氯原子,這使得這種鍵比HClO更不容易分裂成自由基。

          6、根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果,HClO氧化性更強(qiáng),應(yīng)該是氯氧鍵的活性高于氯氧雙鍵,氧化性更強(qiáng)。

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